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["能源与动力工程学院2016届本科生毕业设计（论文）题目"]
["       单位：  核能B                                                                                                                                                                                                                           日期： 2012年 12 月 1 日"]
["序号","指导教师","职称","题      目","题目        类型","题目        来源","题目的目的、意义","主要工作内容（具体）","对选报学生知识、能力或其他方面的要求","学 生 选 题"]
[{"$nulls":9},"班 级","学 号","姓 名"]
[1,"贺朝会","教授","测厚仪、密度计和料位计复合演示装置的设计","工程设计","省部级科研任务","在辐射与物质相互作用及核仪表教学中，需要一个装置来给学生演示其原理，提高学生的学习兴趣和动手能力，因此需研制这样的装置。该装置研制成功将对这方面的教学起到促进作用，也可以推广应用到其它单位，产生经济效益和影响力。","调研测厚仪、密度计和料位计复合演示装置的研究现状，掌握其原理，设计出样机。","掌握辐射与物质相互作用原理，机械制图、动手能力强。"]
[2,"贺朝会","教授","质子在GaN中产生位移损伤的Geant模拟","专题研究","国家项目","空间环境中的质子会在半导体器件中产生永久性位移损伤，使器件的性能下降或失效。研究不同能量的质子在GaN材料中产生缺陷的浓度和分布，揭示其损伤机理。","学习Geant4软件，模拟计算1MeV、10MeV、100MeV、500MeV、1GeV质子在GaN材料中产生的位移损伤初态分布：初级撞出原子(PKA)的种类、数目以及能量信息；计算非电离能量损失（NIEL），分析其与质子能量的关系；研究PKA产生的缺陷的大小与浓度分布规律。","有一定的半导体和计算机编程基础。",null,null,"何博文"]
[3,"贺朝会","教授","SiC探测器的中子位移损伤效应模拟研究","专题研究","校外协作项目","SiC探测器具有很好的抗辐射能力，已成为有潜力的中子探测器。然而，中子在其中的位移损伤决定了其使用寿命，开展SiC探测器的中子位移损伤研究，对其应用有指导意义。","学习模拟软件TCAD，建立探测器模型，验证输入输出特性；基于Geant4的模拟计算结果，研究中子产生的缺陷对SiC探测器性能的影响。","有一定的探测器、半导体和计算机编程基础。",null,null,"邓一凡"]
[4,"贺朝会","教授","高、低剂量率γ辐照下PN结二极管和MOS晶体管的效应比较研究","专题研究","校外协作项目","双极晶体管存在高低剂量率的效应差异，MOS晶体管一般没有，但是两者之间有许多差别需要研究比较，为BiCOMS器件的辐射效应研究奠定基础。","学习模拟软件TCAD，建立PN结二极管和MOS晶体管模型，验证输入输出特性；选取不同的剂量率（100rad(Si)/s、50rad(Si)/s、10rad(Si)/s、10-3rad(Si)/s、10-4rad(Si)/s）进行了辐照效应模拟；比较分析高、低剂量率γ辐照下PN结二极管和MOS晶体管的效应差异。","有一定的半导体和计算机编程基础。"]
[5,"张清民","副教授","BESIII重子谱分波分析的高性能计算方案研究","专题研究","校外协作项目","重子谱是强子物理的重要方向，是BESIII物理的重要课题之一。分波分析是研究强子谱的关键工具。在分波分析中应用高性能计算技术对BESIII高统计量数据分析具有重要意义。","1.学习BESIII重子谱分波分析的背景知识和学习FDC—PWA分波分析软件包 2.研究基于CPU/GPU/MIC的高性能计算方案","①具有较强的学习能力、文献调研能力；②具有较好的实验数据处理知识。有扎实的数学和物理基础。③具有较好的计算机水平，熟悉/愿意学习Fortran/C++语言和Linux系统者佳","核B21",2120302005,"曹宁"]
[6,"张清民","副教授","基于e-TOF的自由电子激光偏振态测量方案研究","专题研究","自选题目","圆偏振光是研究物质性质很关键的工具，而自由电子激光器的高效率、短脉冲及波长可调的优点，特别适宜于研究光与原子、分子和凝固态物质的相互作用，涉及到固体表面物理、半导体物理、超导体、凝聚态物理、化学、光谱学、非线性光学、生物学、医学、材料、能源、通信、国防和技术科学等多个方面。自由电子激光的偏振态的测量和检测对自由电子激光装置特别重要。","1.调研和学习不同能量光子偏正态测量的方法。2.研究基于电子飞行时间谱仪的测量方案，包括针对不同能量自由电子激光的共振离子化气体的选择和不同波长滤波器的选择。3.对旋转单个e-TOF的测量方案进行优化设计。","①具有较强的学习能力、文献调研能力；②有扎实的数学和物理基础，具有较好核探测器知识和数据处理能力。③具有较好的计算机水平，熟悉/愿意学习Fortran/C++语言和Linux系统者佳","核B21",2120302031,"陈袁秒梁"]
[7,"柳文波","讲师","纯铁中辐照缺陷演变过程的分子动力学模拟","综合实验","国家项目","载能粒子辐照引起的材料组织演变和性能退化是急需解决的影响未来先进核能装置设计和运行安全的瓶颈问题之一，备受国际核能界和材料学家关注。本课题以分子动力学模拟（LAMMPS软件）为手段，系统研究纯铁在辐照过程中的组织演变行为，进一步探索金属材料的辐照损伤行为，为抗辐照材料的设计和选取提供理论支持。","1.利用lammps计算纯铁中辐照时单个缺陷及缺陷团簇的演变过程；2.利用lammps计算纯铁中空洞形貌演变的规律，并与文献中的实验结果进行对比。","1.本课题不需要从零开始编程，但是要求学生有一定的编程基础，对计算感兴趣；2.有一定的核能和材料方面的专业基础知识。"]
[8,"臧航","讲师","SiC材料中高浓度He对高温辐照缺陷的影响研究","专题研究","省部级或学校科研任务","SiC陶瓷材料具有低感生放射性和耐高温特性，是未来聚变反应堆结构材料的重要备选材料。由于聚变堆和裂变堆的中子能谱存在差异，在聚变堆辐射环境下SiC中会产生大量嬗变产物He，比在裂变堆中产生的He高1-2个数量级，而且裂变堆的结构材料受到的环境温度更高，目前SiC中的高温辐照缺陷和高浓度He离子的相互作用机理目前国内外尚不明确。通过利用加速器预先注入低能He离子，通过载能粒子高温辐照的方法，研究SiC材料中高浓度He对高温辐照缺陷的影响研究对SiC在聚变堆中的应用具有重要的意义。","1.调研SiC中高温辐照缺陷的形成演化规律和SiC中He泡形成演化规律的研究进展；2.对He注入以及Kr离子辐照过的SiC样品进行辐照缺陷相关的各种材料性能测量；3.总结分析其演化规律和辐照参数之间的联系。","较高的英语水平；掌握原子核物理基本知识；具有材料学的基本知识；由于需要进行材料分析测试实验，需要较强的实验动手能力。","核B21",2120703036,"周路平"]
[9,"刘书焕","副教授","SiGe HBT质子、重离子辐射损伤模拟研究","专题研究","省部级","SiGe HBT在空间通信、航天器控制及辐射探测快读出电子学系统设计等研究领域具有广泛的应用，而辐射环境中的粒子辐射损伤可引起SiGe HBT工作性能的降低，进而引起基于SiGe HBT的系统工作心梗降级乃至系统故障；因此开展SiGe HBT质子、重离子辐射损伤辐射损伤机理研究，对于明确SiGe HBT器件辐射损伤机制及其抗辐射性能研究具有重要意义","1.开展SiGe HBT质子、重离子辐射损伤效应国内外研究现状的调研；探讨设计SiGe HBT质子、重离子辐射损伤效应模拟研究方案2.了解SiGe HBT器件工作原理及典型工艺结构，学习SRIM或Geant4蒙卡模拟软件、器件仿真工具Sentaurus TCAD；3.利用SRIM或Geant4开展质子、重离子辐照SiGe HBT 损伤模拟研究，计算分析典型能量质子、重离子在器件辐照敏感区产生的能量沉积及径迹分布。4.利用Sentaurus TCAD开展SiGe HBT质子、重离子辐照损伤宏观电学参数演变模拟研究，分析引起SiGe HBT 性能退化微观物理机制。5.在时间允许的条件下，利用探针台开展SiGe HBT辐照前后典型电参数。与模拟结果相比较，分析SiGe HBT 器件抗辐射性能","1.辐射物理、半导体器件物理基础；2.程序设计能力。"]
[10,"刘书焕","副教授","固体径迹探测器CR-39微剂量测量模拟研究","专题研究","省部级","进行辐射场微剂量模拟及测定是评估生物体及其它材料靶体辐射损伤效应的基础，CR-39固体径迹探测器是一种可用于辐射环境微剂量测定的经典探测器；通过本设计项目的模拟及实验测量研究，可以训练学生辐射剂量学基础知识的灵活及综合应用能力及实验设计、动手操作能力","1.调研国内外CR-39在典型核环境剂量、微剂量测量应用研究现状；设计典型中子或重离子辐射环境CR-39微剂量测量模拟研究方案；2.学习CR-39微剂量、剂量测量原理及实验测量方法；学习Geant4或MCNPX蒙卡模拟软件；3.利用Geant4或MCNPX开展中子或重离子辐照CR-39探测器径迹、能量沉积模拟研究，模拟分析粒子径迹、能量沉积及微剂量分布特征与辐照粒子能量、入射角度、类型等参数的关系。4.与西北核技术研究所合作开展CR-39固体经济探测器典型核环境（反应堆或alpha源）微剂量测量实验研究","1.辐射物理、电离辐射剂量学基础；2.程序设计及实验操作能力"]
[11,"王盛","教授","车载加速器中子源靶系统的设计","专题研究","实验室建设","车载加速器中子源是开展中子无损检测的重要装备。靶的选择和靶系统设计决定了车载中子照相系统的中子产额、探测深度、装备的可靠信和寿命等，因此合理选择靶的材料，设计寿命长、可靠性高的靶，显得尤为重要。","1、调研用于产生中子源的各类靶的性能特点，从中选择合适的靶作为车载加速器中子源的靶材料；2、用mcnp、Geant4等软件模拟计算质子打靶后的中子产额和能量分布；3、对靶的系统进行设计，确保其具有高可靠信和长寿命。","对中子照相、MCNP与GEANT4等粒子输运蒙特卡洛模拟以及多物理场模拟等感兴趣。"]
[12,"王盛","教授","小型加速器中子源加速器侧屏蔽问题解决方案研究","专题研究","实验室建设","小型加速器中子源由于其成本低、建设周期短、易于现场操作使用、安全性能高且能满足大部分产学研所需，成为目前世界上研究和建设的热点。在小型质子加速器中子源的加速器侧，其结构复杂，并且很难能做到确保质子束流达到100%的准直率，而加速器生产厂商并没有对其采取有效的屏蔽措施，因此对小型加速器中子源的加速器侧屏蔽问题进行研究显得尤为重要。","1、计算质子加速器的质子束流形状；2、根据打到加速器铁制波纹管上的质子份额数，计算产生的辐射量；3、采取有效的屏蔽措施对其进行屏蔽。","对小型加速器中子源、MCNP与GEANT4等粒子输运蒙特卡洛模拟以及屏蔽设计等感兴趣。"]
[13,"李永宏","工程师","GaAs HBT辐射效应模拟研究","专题研究","省部级或学校科研任务","超高速、超低功率电子器件在现代电子学系统中扮演着极其重要的角色砷化砷化镓(GaAs)以其优良的光电特性己经成为化合物半导体中最重要、用途最广泛、生产量最大的化合物半导体材料，基于GaAs材料的半导体器件在航空航天领域得到了广泛的应用，GaAs太阳能电池、微机电系统（MEMS）、场效应晶体管(MESFET)、异质结双极型器件（HBT）是空间通信设备中广泛使用的器件，但在卫星和某些国防应用中必须考虑高能粒子和核辐射的影响，进行GaAs HBT辐射效应机理研究具有重要意义。","1. 1.调研GaAs HBT期间的国内外研究进展；2.使用TCAD软件展开GaAs HBT重离子辐照效应模拟研究；3.总结分析其辐照规律和辐照参数之间的联系。","较高的英语水平；掌握原子核物理基本知识；具有电工电子技术的基本知识。"]
[14,"李永宏","工程师","钴在改性氧化石墨烯上的吸附行为研究","专题研究","实验室建设","钴是放射性废物处理与处置中关注的重要核素之一，如何高效去除是当前核环境学领域的研究热点。石墨烯族材料重要成员之一的氧化石墨烯， 有巨大比表面积，优良的吸附性能，是一种高效的吸附材料。为了发挥其优良的性能，有必要对其进行合理改性。研究改性后氧化石墨烯对钴的吸附效果和机理有着重要意义。","调研钴的吸附行为研究现状和进展。学习制备改性石墨烯的方法和吸附实验方法（宏观静态批式法），掌握分光光度计及高速离心机的使用方法。研究pH值、离子强度等因素对钴在改性氧化石墨烯上吸附的影响，并探讨吸附作用的机理。","固体物理和化学基础知识好，分析能力和动手能力强。","核B21",2120302004,"杨琳"]
[15,"胡华四","教授","压水堆堆芯积垢沉积模型研究及模拟计算","专题研究","国家重点项目","反应堆冷却剂系统内腐蚀积垢物(又称污垢)在燃料棒表面沉积会导致轴向功率值向堆芯人口处偏移的现象。这一现象出现后将会影响核电厂运行的安全性和经济性。建立方法对该沉积过程进行描述和定量计算将对预测和控制这种现象有所帮助。","对国内外相关研究进行必要调研，了解研究现状；初步建立腐蚀产物对堆芯沸腾和非沸腾区域的沉积模型；应用所建模型初步开展堆芯积垢层的生长情况的模拟计算。","良好的英文文献阅读水平；具备一定的编程基础"]
[16,"胡华四","教授","化合物半导体碲锌镉探测器优化设计初步研究","专题研究","国家重点项目","近年来，化合物半导体探测器在科学技术各个领域中被广泛应用。该类型探测器的极高精度的位置分辨能力同高速读出电路结合，使其应用于多种核辐射探测领域成为可能。碲锌镉是一种最具代表性的化合物半导体材料，其具有较高的原子序数、较宽的禁带宽度、高电阻率、工作温度为常温乃至高温、暗电流小、噪声低，与硅、锗等传统半导体材料相比，对核辐射测量具有更强适应性。过往化合物半导体探测器研究局限于“炒菜式”研究，而对其采取追求高性能的结构及材料参数的优化设计研究尚处于起步阶段。","了解探测器基本设计原理，对碲锌镉化合物半导体在核辐射环境下的工作原理进行相应的了解；探究工作条件下，碲锌镉化合物晶体中内部载流子输运机制，信号产生以及后续信号处理；模拟工作环境下探测器性能参数并分析得到探测器性能指标，建立探测器结构及材料参数与其性能指标间的关联关系；初步实现探测器优化设计及算法。","良好的英文文献阅读水平；了解核辐射物理及探测、核电子学、数值计算处理、信号处理以及模拟软件应用如Matlab的知识"]
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["题目类型（分为三类）：   工程设计        专题研究       综合实验"]
["题目来源（分为六类）：    国家重点项目            省部级或学校科研任务         校外协作项目           .实验室建设            就业所在单位项目            自选           "]

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